三星方案在美国得州建设11座芯片工厂：未来20年投资近2000亿美元

原先浪科技询 沈阳时间7月底22日电视原先闻消息，据报道，LG电子提出了在得克萨斯州为广泛扩建半导体器件总公司房的或许。

这家韩国公司是存储芯片的主要研发商。在呈交的一系列邮件中所，该公司提出了将来20年投资近2000亿美元建设11座厂房的原先。其中所两个厂房将落地奥斯汀，九个将在得克萨斯州的克拉克，LG早已确认了在克拉克投资170亿美元构建一个高级厂房的原先。

该公司并没有许诺建成原先基础设施，而且“推论”的提议可能会在各种意味著彻底改变。即使LG继续按照该原先来进行，第一个原先的装配厂房也要到2034年左右才会开始开始运行。LG确认这一原先的外原因是为了赶在今年得克萨斯州的财政奖励期满之前争取奖励。

LG在一份发表声明中所问到:“目前我们还没有具体的建成原先，不过，向得州日前第313章法案期许安全措施是LG评估在美国政府建成更多总公司的可行性的依然规划过程的一外。”

得州州长格雷格·阿博特(Greg Abbott)在一份发表声明中所问到:“这些原先基础设施壮大了得州这个滴血之州在半导体器件行业的领导声望，我感谢LG增加了他们对得州中所部于其的人们的投资。”

美国政府正在推进一项520亿美元的美国政府联邦原先，为美国政府半导体器件行业提供拨款和期许安全措施。即使如此两年间半导体器件依然短缺致使福特汽车和苹果公司等公司显然所须要的芯片用于装配，此后该原先获得了支持。

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