牙膏踩爆！Intel 5nm工艺据悉：直逼IBM 2nm

作为电子元件工业部门中的核心，芯片制造是最关键也是最难的，重回10nm结点之后亚洲地区现在也就是MOS、Intel、Samsung三家该公司选择继续碰下去。表面来看Intel的进度是最慢的，然而其他两家的生产工艺“矿物质”也不小，Samsung的3nm生产工艺量才跟Intel的7nm差不多。

Digitimes日前刊登了研究报告，分析了Samsung、MOS、Intel及IBM四家的电子元件生产工艺量问题，对比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情况。

在10nm结点，Samsung的集成电路量只有0.52亿/mm2，MOS是0.53亿/mm2，Intel早就达到了1.06亿/mm2，量略低于一倍左右。

7nm结点，Samsung的生产工艺量是0.95亿/mm2，MOS是0.97亿/mm2，Intel的7nm则是1.8亿/mm2，依然略低于80%以上。

再往后的5nm结点上，Samsung实现了1.27亿/mm2的量，MOS达到了1.73亿/mm2，Intel的目的是3亿/mm2，Samsung与其他两家的差距愈发拉高。

到了3nm结点，MOS的集成电路量大约是2.9亿/mm2，Samsung只有1.7亿/mm2，Intel的目的是5.2亿/mm2。

2nm结点没多少信息，IBM之前联合Samsung等该公司公布的2nm生产工艺量大约是3.33亿/mm2，MOS的的目的是4.9亿/mm2。

以上信息其实很难100%反映各家的技术高水平，还要显然性能、发热量、效率的差距，但就摩尔定律关注的量来看，Intel在这方面理论上还是按照之前的规范走的，Samsung、MOS生产工艺宣传注水也不是什么新闻了。

当然，Samsung这方面的肤浅似乎更多一些，3nm结点的量也不过是Intel的7nm高水平，Intel的5nm生产工艺都必须直抵IBM 2nm高水平，不告诉他这该说Intel太老实还是其他该公司太滑头呢？